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    • 专利摘要:
    Einreflektierender Ag-Legierungsdünnfilmfür Reflektoren,welcher exzellente Oberflächenebenheitaufweist und hohe Reflektivitätselbst unter einer erhitzenden Umgebung aufweist, und ein Reflektor.Derreflektierende Ag-Legierungsfilm für Reflektoren weist eine mittlereOberflächenrauhigkeitvon 2,0 nm oder weniger auf und enthält ein Seltenerdelement (wieNd) mit einem Gehalt in dem Bereich von 0,1 bis 3,0 Atom-% oder fernermindestens ein Element, das ausgewählt wurde aus Au, Pd, Cu undPt mit einem Gehalt in dem Bereich von 0,5 bis 5,0 Atom-%. Der Reflektorumfaßtden vorstehenden auf einem Substrat gebildeten reflektierenden Ag-Legierungsfilm.
    公开号:DE102004031124A1
    申请号:DE200410031124
    申请日:2004-06-28
    公开日:2005-02-10
    发明作者:Junichi Kobe Nakai；Toshiki Kobe Sato；Katsutoshi Kobe Takagi；Yuuki Kobe Tauchi
    申请人:Kobe Steel Ltd；
    IPC主号:G02B1-10
    专利说明:
    [0001] Dievorliegende Erfindung bezieht sich auf einen reflektierenden Ag-Legierungsfilmfür Reflektoren undauf einen Reflektor, welcher denselben umfaßt. Speziell bezieht sie sichauf einen reflektierenden Ag-Legierungsfilmfür Reflektoren,welche eine hohe Reflektivitätaufweist und selten eine Verringerung der Reflektivität durchErhitzen erfährt,und auf einen Reflektor, welcher denselben umfaßt.
    [0002] EinAg-Film wurde fürviele Zwecke verwendet, wenn er eine hohe Reflektivität für sichtbaresLicht aufweist. Zum Beispiel wird er für Reflektoren für Automobillampen,Rücklichterfür Flüssigkristallanzeigen,Reflektoren fürBeleuchtungsvorrichtungen, Spiegel für optische Teile und Reflektorenfür lichtemittierendeTeile wie LEDs verwendet. Ein Reflektor, welcher einen Ag-Film umfaßt, wirddurch Beschichten eines Glas- oder Harzsubstrates mit Ag durch Sputternoder dergleichen hergestellt, und der Ag-Film wird daher als reflektierenderFilm fürReflektoren verwendet.
    [0003] DerAg-Film ist jedoch in Bezug auf die Umgebungsdauerhaftigkeit unzufriedenstellend.Da er durch Feuchtigkeit beeinträchtigtwird, ist es schwierig, ihn füreine lange Zeitspanne zu verwenden. Ferner diffundiert Ag leichtdurch Erhitzen auf 100°Cbis 200°C,und die Kohäsionvon Ag tritt ein, wodurch seine Reflektivität verringert wird.
    [0004] Folglichist es vorgeschlagen, seine chemische Stabilität durch Zugabe verschiedenerEdelmetalle zu Silber, wie in JP-A 2001-226765 (Patentdokument 1)gezeigt, zu erhöhen.Obwohl die chemische Stabilitätin einer nassen Umgebung mit diesem Verfahren gesteigert wird, wirddie mittlere Oberflächenrauhigkeitdes Films durch einen Anstieg der Temperatur, welche durch Strahlungeiner Lampe hervorgerufen wird, beeinträchtigt. Folglich wird die Verbesserungder Dauerhaftigkeit bislang noch nicht erreicht, und ein zu lösendes Problemfür seinepraktische Verwendung bleibt noch zurück.
    [0005] DieBildung einer transparenten Schutzschicht auf einem Ag-Film istzum Verbessern seiner Dauerhaftigkeit wirksam. Ein in JP-A 2000-106017(Patentdokument 2) gezeigtes organisches Harz oder Metalloxid wirdallgemein in der Schutzschicht verwendet. Selbst wenn der Ag-Filmmit diesem beschichtet wird, bezieht ein organischer Harzfilm einProblem wie Lichtabsorption durch die Schutzschicht und eine Reaktionmit einer Komponente der Schutzschicht ein, und ein Metalloxidfilmweist ein Problem auf, das Beeinträchtigung durch einen Fehlerwie einen Nadelstich hervorgerufen wird. [Patentdokument 1]JP-A 2001-226765 [Patentdokument 2] JP-A 2000-106017
    [0006] Oberflächenebenheitgeht bei dem vorstehend vorgeschlagenen Ag-Legierungsfilm verloren,weil die Kohäsionvon Ag entlang der Zeitachse fortschreitet, und ein Phänomen auftritt,das die Reflektivitätvon Licht mit einer Wellenlängevon 400 bis 450 nm besonders abfällt.Folglich muß derAg-Legierungsfilm relativ dick beschichtet werden, wodurch die hoheReflektivitätdes Ag-Legierungsfilms beeinträchtigtwird, seine Leistungsfähigkeitabfälltoder die Beeinträchtigung(aufgerauhte Oberfläche)des Ag-Legierungsdünnfilmsvon einem angekratzten oder abgelösten Teil des Beschichtungsmaterialsfortschreitet, wodurch die Ausbeute verringert wird.
    [0007] Esist ein Ziel der vorliegenden Erfindung, welche angesichts der vorstehendenSituation gemacht wurde, einen reflektierenden Ag-Film bereitzustellen,welcher eine exzellente Oberflächenebenheitaufweist und hohe Reflektivitätselbst unter einer erhitzenden Umgebung zeigt, sowie einen Reflektor,welcher diesen reflektierenden Ag-Legierungsfilm mit den vorstehendenexzellenten charakteristischen Eigenschaften umfaßt.
    [0008] DieErfinder der vorliegenden Erfindung haben intensive Studien durchgeführt, umdas vorstehende Ziel zu erreichen, und haben die vorliegende Erfindungvollendet. Das vorstehende Ziel kann durch die vorliegende Erfindungerreicht werden.
    [0009] Dievorliegende Erfindung, welche vollendet wurde und das vorstehendeZiel erreichte, bezieht sich auf einen reflektierenden Ag-Legierungsfilmfür Reflektorenund einen Reflektor, welcher diesen reflektierenden Ag-Legierungsfilm umfaßt.
    [0010] Dasheißt,gemäß einesersten Aspekts der vorliegenden Erfindung wird ein reflektierenderAg-Legierungsfilmfür Reflektorenbereitgestellt, welcher eine mittlere Oberflächenrauhigkeit Ra von 2,0 nmoder weniger aufweist.
    [0011] Gemäß eineszweiten Aspekts der vorliegenden Erfindung wird ein reflektierenderAg-Legierungsfilm fürReflektoren bereitgestellt, welcher ein Seltenerdelement mit einemGehalt in dem Bereich von 0,1 bis 3,0 Atom-% enthält.
    [0012] Gemäß einesdritten Aspekts der vorliegenden Erfindung wird ein reflektierenderAg-Legierungsfilm für Reflektorenbereitgestellt, wobei das Seltenerdelement Nd ist.
    [0013] Gemäß einesvierten Aspekts der vorliegenden Erfindung wird ein reflektierenderAg-Legierungsfilm fürReflektoren bereitgestellt, welcher mindestens ein Element enthält, dasausgewähltwurde aus Au, Pd, Cu und Pt mit einem Gehalt in dem Bereich von0,5 bis 5,0 Atom-%.
    [0014] Gemäß einesfünftenAspekts der vorliegenden Erfindung wird ein reflektierender Ag-Legierungsfilm für Reflektorenbereitgestellt, welcher eine Dicke von 50 bis 300 nm aufweist.
    [0015] Gemäß einessechsten Aspekts der vorliegenden Erfindung wird ein reflektierenderAg-Legierungsfilm fürReflektoren bereitgestellt, welcher durch Erhitzen auf 50 bis 200°C zum Zeitpunktder Filmbildung erhalten wurde.
    [0016] Gemäß einessiebten Aspekts der vorliegenden Erfindung wird ein Reflektor zurVerfügunggestellt, welcher den vorstehenden reflektierenden Ag-Legierungsfilm für Reflektoren,welcher auf einem Substrat gebildet ist, umfaßt.
    [0017] Gemäß einesachten Aspekts der vorliegenden Erfindung wird ein Reflektor bereitgestellt,wobei ein Film auf dem Substrat als Grundschicht gebildet wird,welcher mindestens ein Bestandteil enthält, welcher aus der Gruppeausgewähltwurde, welche aus einem Oxid, Nitrid und Oxynitrid besteht.
    [0018] Derreflektierende Ag-Legierungsfilm für Reflektoren der vorliegendenErfindung weist exzellente Oberflächenebenheit auf und zeigteine hohe Reflektivitätselbst unter einer erhitzenden Umgebung. Folglich kann er vorteilhafterweiseals reflektierender Ag-Legierungsfilm für Reflektoren verwendet werden,und seine Funktion kann verbessert werden.
    [0019] Dader Reflektor der vorliegenden Erfindung den reflektierenden Ag-Legierungsfilmfür Reflektorenmit den vorstehenden exzellenten charakteristischen Eigenschaftender vorliegenden Erfindung auf einem Substrat gebildet umfaßt, weister exzellente Oberflächenebenheitund eine hohe Reflektivitätselbst unter einer erhitzenden Umgebung auf, und seine Funktionkann verbessert werden.
    [0020] Umdas vorstehende Ziel zu erreichen, haben die Erfinder der vorliegendenErfindung Ag-Legierungsdünnfilme,welche sich in der Zusammensetzung unterscheiden, unter verschiedenenFilmbildungsbedingungen auf einem Substrat gebildet, und haben diecharakteristischen Eigenschaften der Filme als reflektierende Ag-Legierungsfilmefür Reflektorenausgewertet. Als Ergebnis haben sie gefunden, daß die mittlere Oberflächenrauhigkeit(Ra) des Ag-Legierungsdünnfilms2,0 nm oder weniger sein muß,um die hohe Reflektivitätder Ag-Legierung zu erreichen, und ferner, daß die Reflektivität verringertwird, wenn die mittlere Oberflächenrauhigkeiteines Ag-Legierungsdünnfilmsdurch Erhitzen oder dergleichen vergrößert wird, das heißt, dieReflektivitätwird kaum verringert, wenn eine Änderungder mittleren Oberflächenrauhigkeitselbst unter einer erhitzenden Umgebung klein ist. Ferner wurdegefunden, daß dieZugabe eines Seltenerdelements, insbesondere Nd, wirksam für die Umsetzungeines Ag-Legierungsdünnfilmsmit exzellenter Ebenheit ist, welcher sich in der mittleren Oberflächenrauhigkeitkaum verändert.Die vorliegende Erfindung wurde beruhend auf diesen Ergebnissenvollendet. Ein reflektierender Ag-Legierungsfilm für Reflektorengemäß der vorliegendenErfindung wird hiernach hauptsächlichbeschrieben. Die mittlere OberflächenrauhigkeitRa bedeutet die arithmetische mittlere Oberflächenrauhigkeit.
    [0021] Derreflektierende Ag-Legierungsfilm für Reflektoren gemäß der vorliegendenErfindung ist ein reflektierender Ag-Legierungsfilm für Reflektoren,welcher eine mittlere OberflächenrauhigkeitRa von 2,0 nm oder weniger [erster Aspekt9 aufweist. Das heißt, er istein reflektierender Film, welcher ein Ag-Legierungsdünnfilm miteiner mittleren Oberflächenrauhigkeitvon 2,0 nm oder weniger ist.
    [0022] InBezug auf einen Ag-Legierungsdünnfilmfällt seineReflektivitätan dem unteren Grenzbereich (Wellenlänge von etwa 400 nm) des sichtbarenLichts ab, und seine mittlere Oberflächenrauhigkeit Ra steigt an. Dieswird hervorgerufen durch geometrisches technisches Streuen und Absorptiondurch Plasmon auf der Oberfläche,welche von der Oberflächenkonfigurationabhängen.Da Ag kaum oxidiert wird und sehr schnell diffundiert, werden Ag-Atome leicht durchErhitzen oder dergleichen bewegt, wodurch ein Anstieg der mittleren Oberflächenrauhigkeitdes Ag-Legierungsdünnfilmshervorgerufen wird. In Bezug auf einen Ag-Legierungsdünnfilm,welcher als reflektierender Film wie ein Ag-Legierungsdünnfilm verwendetwird, tritt die Änderung seinerOberflächenkonfigurationim Wesentlichen nicht aufgrund der Schutzfunktion eines Oxidfilmsan der Oberflächeauf.
    [0023] Demzufolgemuß derAg-Legierungsdünnfilmexzellente Oberflächenebenheitmit einer kleinen mittleren Oberflächenrauhigkeit Ra aufrechterhalten,um die hohe Reflektivitätvon Ag aufrecht zu erhalten. Zu diesem Zweck muß der Ag-Legierungsdünnfilm exzellenteOberflächenebenheitin dem Anfangszustand (Zustand, bevor der Film nach seinem Bildeneiner erhitzenden Umgebung ausgesetzt ist) und ebenso unter einer erhitzendenUmgebung aufweisen. Spezieller angegeben muß die mittlere OberflächenrauhigkeitRa des Ag-Legierungsdünnfilmsbei 2,0 nm oder weniger aufrechterhalten werden. Zu diesem Zweckmuß diemittlere OberflächenrauhigkeitRa des Ag-Legierungsdünnfilmsin dem Anfangszustand und ebenso unter einer erhitzenden Umgebung2,0 nm oder weniger sein. Wenn die mittlere OberflächenrauhigkeitRa des Ag-Legierungsdünnfilmsgrößer istals 2,0 nm, wird die Reflektivitätdes Ag-Legierungsdünnfilmsbei einem kurzen Wellenlängenbereichmehr oder weniger die gleiche wie die eines Al-Films, und ein Vorzug,welcher aus der hohen Reflektivität des Ag-Legierungsdünnfilmserhalten wurde, geht verloren. Die mittlere OberflächenrauhigkeitRa des Ag-Legierungsdünnfilmswird wünschenswerterweisebei 1,0 nm oder weniger aufrechterhalten. Wenn das so ist, kannhohe Reflektivitätmit höhererSicherheit (auf einem höherenNiveau) aufrechterhalten werden.
    [0024] Derreflektierende Ag-Legierungsfilm für Reflektoren gemäß der vorliegendenErfindung kann die hohe Reflektivität von Ag aufrechterhalten,wie aus der vorstehenden Beschreibung verstanden wird. Das heißt, der reflektierendeAg-Legierungsfilm fürReflektoren gemäß der vorliegendenErfindung weist eine mittlere Oberflächenrauhigkeit Ra von 2,0 nmoder weniger auf, wie vorstehend beschrieben. Das heißt, wennes ein reflektierender Ag-Legierungsfilm ist, welcher seine mittlereOberflächenrauhigkeitRa bei 2,0 nm oder weniger aufrechterhält, ist seine mittlere OberflächenrauhigkeitRa 2,0 nm oder weniger in dem Anfangszustand und ebenso unter einererhitzenden Umgebung, wodurch eine hohe Reflektivität aufrechterhaltenwerden kann. Das heißt,er weist exzellente Oberflächenebenheitauf und zeigt hohe Reflektivitätselbst unter einer erhitzenden Umgebung.
    [0025] Umdie mittlere OberflächenrauhigkeitRa des Ag-Legierungsdünnfilmsbei 2,0 nm oder weniger aufrecht zu erhalten, müssen die Art und der Gehalteines zuzugebenden Elements geeignet kontrolliert werden. Das heißt, durchgeeignetes Kontrollieren der Art und des Gehalts des Elements, kannein Ag-Legierungsdünnfilmmit einer mittleren OberflächenrauhigkeitRa von 2,0 nm oder weniger nach der Filmbildung erhalten werden,und kann seine mittlere OberflächenrauhigkeitRa bei 2,0 nm oder weniger aufrechterhalten.
    [0026] Umeinen Ag-Legierungsdünnfilmzu erhalten, welcher eine mittlere Oberflächenrauhigkeit Ra von 2,0 nmoder weniger nach der Filmbildung aufweist, und seine mittlere Oberflächenrauhigkeitvon 2,0 nm oder weniger aufrechterhalten kann, ist das zuzugebendeElement ein Seltenerdelement und seine Zugabe ist wirksam.
    [0027] DerGehalt dieses Seltenerdelements ist wünschenswerterweise 0,3 Atom-%oder mehr. Wenn das Seltenerdelement zugegeben wird (enthalten ist)mit einem Gehalt in dem Bereich von 0,3 Atom-% oder mehr, kann dasWachstum von Kristallkörnern,welches durch die Oberflächendiffusionvon Ag hervorgerufen wird, selbst unter einem erhitzenden Umgebungwirksam unterdrücktwerden, wodurch es möglichgemacht wird, eine Änderung(Anstieg) der mittleren Oberflächenrauhigkeitzu unterdrücken.Das heißt,die Oberflächendiffusionund Kohäsionvon Ag treten selbst unter einer erhitzenden Umgebung kaum auf (exzellenteWärmebeständigkeit),und das Wachstum von Kristallkörnerntritt kaum auf, wodurch eine Änderung(Anstieg) der mittleren Oberflächenrauhigkeitkaum auftritt. Das heißt,ein Anstieg der mittleren Oberflächenrauhigkeit(Verringerung der Oberflächenebenheit),welche durch Erhitzen hervorgerufen wird, wird durch die Verbesserungder Wärmebeständigkeitausgeschlossen oder verringert.
    [0028] Dadie anfänglicheReflektivität(Reflektivität,wenn der Film einer erhitzenden Umgebung oder einer Umgebung mithoher Temperatur und hoher Feuchtigkeit nach der Filmbildung nichtausgesetzt wurde) abfällt, wennder Gehalt des Seltenerdelements ansteigt, ist der Gehalt des Seltenerdelementswünschenswerterweise3,0 Atom-% oder weniger. Wenn der Gehalt des Seltenerdelements größer istals 3,0 Atom-%, wird der Unterschied der Reflektivität zwischendem Al-Legierungsdünnfilmund dem Ag-Legierungsdünnfilm kleinund ein Vorzug, welcher aus der hohen Reflektivität des Agerhalten wurde, wird nicht erreicht.
    [0029] Ausdem Vorstehenden ist gewünscht,daß derGehalt des Seltenerdelements 0,1 bis 3,0 Atom-% sein sollte [zweiterAspekt]. Wenn das so ist, kann ein Ag-Legierungsdünnfilm, welcher eine mittlereOberflächenrauhigkeitvon 2,0 nm oder weniger nach der Filmbildung aufweist, und seinemittlere Oberflächenrauhigkeit Rabei 2,0 nm oder weniger aufrechterhält, das heißt, ein Ag-Legierungsdünnfilm,welcher exzellente Oberflächenebenheitund hohe anfänglicheReflektivitätin dem Anfangszustand aufweist, und exzellente Oberflächenebenheitund hohe Reflektivitätselbst unter einer erhitzenden Umgebung aufweist, erhalten werden.In anderen Worten kann ein Ag-Legierungsdünnfilm,welcher eine exzellente Oberflächenebenheitund hohe anfänglicheReflektivitätin dem Anfangszustand aufweist, und eine kleine Verringerung derOberflächenebenheit, welchedurch Erhitzen hervorgerufen wird, und exzellente Oberflächenebenheitund hohe Reflektivitätselbst unter einer erhitzenden Umgebung aufweist, erhalten werden.Wenn zwei oder mehr Seltenerdelemente zugegeben werden, ist derGesamtgehalt dieser Elemente 0,1 bis 3,0 Atom-%. Um eine höhere anfänglicheReflektivitätzu erreichen, ist der Gesamtgehalt der Seltenerdelemente wünschenswerterweise2,0 Atom-% oder weniger.
    [0030] Ausden vorstehenden Seltenerdelementen ist die Zugabe von Nd besonderswirksam. Das heißt, wennNd zugegeben wird, wird insbesondere die Wärmebeständigkeit hoch (die Oberflächendiffusionund Kohäsionvon Ag treten unter einer erhitzenden Umgebung kaum auf), wodurches möglichgemacht wird, das Wachstum von Kristallkörnern, welches durch die Oberflächendiffusionvon Ag hervorgerufen wird, und eine Änderung (Anstieg) der Oberflächenrauhigkeitwirksam zu unterdrücken,eine Verringerung der Oberflächenebenheit,welche durch Erhitzen hervorgerufen wird, zu verringern, und seinemittlere OberflächenrauhigkeitRa bei 2,0 nm oder weniger mit höhererSicherheit aufrechtzuerhalten. Die anfängliche Reflektivität wird ebenso höher. Folglichist es gewünscht,daß Ndaus den vorstehenden Seltenerdelementen verwendet werden sollte, unddaß derGehalt von Nd 0,1 bis 3,0 Atom-% sein sollte [dritter Aspekt]. DerGehalt von Nd ist bevorzugt 0,3 bis 3,0 Atom-%.
    [0031] Wenndas Seltenerdelement mit einem Gehalt in dem Bereich von 0,1 bis3,0 Atom-% wie vorstehend beschrieben zugegeben wird, und mindestensein Element aus Au, Pd, Cu und Pt mit einem Gehalt in dem Bereichvon 0,5 Atom-% oder mehr zugegeben wird, steigt die chemische Stabilität an unddie Beständigkeit gegenüber einemHalogenion wird insbesondere verbessert. Da die anfänglicheReflektivitätabfällt,wenn der Gehalt des vorstehenden Elements (mindestens ein Elementaus Au, Pd, Cu und Pt) ansteigt, ist der Gehalt des Elements wünschenswerterweise5,0 Atom-% oder weniger. Folglich ist es gewünscht, daß mindestens ein Element ausAu, Pd, Cu und Pt mit einem Gehalt in dem Bereich von 0,5 bis 5,0Atom-% zugegeben werden sollte [vierter Aspekt]. Wenn zwei odermehr dieser Elemente zugegeben werden, ist der Gesamtgehalt dieserElemente 0,5 bis 5,0 Atom-%. Um die anfängliche Reflektivität weiterzu steigern, ist der Gesamtgehalt dieser Elemente wünschenswerterweise3,0 Atom-% oder weniger. Unter diesen Elementen ist die Beständigkeitgegenübereinem Halogenion von Au höherals die von Cu, und die Beständigkeitgegenübereinem Halogenion von Pd ist höherals die von Pt. Folglich ist die Zugabe von Pd am wirksamsten beimSteigern der Beständigkeitgegenüberdem Halogenion.
    [0032] Esist gewünscht,daß derreflektierende Ag-Legierungsfilmfür Reflektorengemäß der vorliegenden Erfindungeine Dicke von 50 bis 300 nm haben sollte [fünfter Aspekt]. Wenn die Dickedes reflektierenden Ag-Legierungsfilmskleiner als 50 nm ist, tritt Licht durch den Film, wodurch eineausreichend hohe Reflektivität kaumerreicht werden kann. Da die mittlere Oberflächenrauhigkeit höher wird,wenn die Dicke ansteigt, wenn die Dicke des Films größer istals 300 nm, wird eine ebene Oberfläche nicht erhalten, und einehohe Reflektivitätkann kaum erhalten werden.
    [0033] Wennein Film durch Erhitzen eines Substrats auf 50 bis 200°C vom Standpunktder Adhäsiongebildet wird, kann das Wachstum von Kristallkörnern unterdrückt werden,und ein reflektierender Ag-Legierungsfilm mit einer ebenen Oberfläche kannerhalten werden. Folglich kann ein Film unter Erhitzen auf 50 bis200°C gebildetwerden. Wenn ein Film unter Erhitzen gebildet wird, kann die Adhäsion desFilms verbessert werden [sechster Aspekt].
    [0034] Derreflektierende Ag-Legierungsfilm für Reflektoren gemäß der vorliegendenErfindung kann einen kein Seltenerd enthaltenden Ag-Legierungsdünnfilm umfassen,welcher auf einem Ag-Legierungsdünnfilmgebildet ist, welcher ein Seltenerdelement, speziell Nd, enthält. Wennder Film die vorstehende Struktur aufweist, weist er eine sehr ebeneOberflächemit einer mittleren OberflächenrauhigkeitRa von 2,0 nm oder weniger und hoher Reflektivität und exzellentere Wärmebeständigkeitauf, wenn seine Wärmebeständigkeitdurch den Ag-Legierungsdünnfilm,welcher ein Seltenerdelement enthält, als Grundschicht verbessertwird.
    [0035] DerReflektor gemäß der vorliegendenErfindung umfaßtden reflektierenden Ag-Legierungsfilm für Reflektoren gemäß der vorliegendenErfindung, welcher auf einem Substrat gebildet wurde [siebter Aspekt]. Dieser Reflektorweist eine exzellente Oberflächenebenheitauf, und zeigt eine hohe Reflektivität selbst unter einer erhitzendenUmgebung.
    [0036] DieBildung des vorstehenden reflektierenden Ag-Legierungsfilms auf dem Substrat wirddurch Sputtern oder PVD-(physikalische Gasphasenabscheidung)-Verfahrenwie Gasphasenabscheidung durchgeführt. Das Material und die Formdes Substrats werden geeignet ausgewählt. Zum Beispiel wird einHarz, Glas oder Metall verwendet. Ferner kann ein Film, welchermindestens einen Bestandteil enthält, welcher aus der Gruppe ausgewählt wurde,welche aus einem Oxid, Nitrid und Oxynitrid besteht, auf dem Substratals Grundschicht gebildet werden, um Adhäsion und Barriereeigenschaftenzu verbessern [achter Aspekt]. Die Grundschicht ist nicht beschränkt aufeinen Film, welcher nur ein Oxid enthält, einen Film, welcher nurein Nitrid enthält,oder einen Film, welcher nur ein Oxynitrid enthält, und ein Film, welcher zweioder mehr von diesen Bestandteilen enthält, und ein Film, welcher dieseund eine andere Substanz enthält,kann ebenso verwendet werden. Der Film, welcher nur ein Oxid enthält, istnicht auf einen Film beschränkt,der nur ein Oxid enthält,sondern ein Film, der zwei oder mehr Oxide enthält, kann verwendet werden.Dasselbe kann überden Film gesagt werden, welcher nur ein Nitrid enthält, undein Film, der zwei oder mehr Nitride enthält, kann ebenso verwendet werden. Dasselbekann überden Film gesagt werden, welcher nur ein Oxynitrid enthält, undein Film, welcher zwei oder mehr Oxynitride enthält, kann ebenso verwendet werden.
    [0037] Bezüglich dervorstehenden Grundschicht schließen Beispiele für den Film,welcher ein Oxid enthält, Filmeein, die ein Oxid wie Zinkoxid, Zinnoxid, Titanoxid, Indiumoxid,ITO, Yttriumoxid, Zirkoniumoxid oder Aluminiumoxid als Hauptbestandteilenthalten. Beispiele fürden Film, welcher ein Nitrid enthält, schließen Filme ein, welche ein Nitridwie Siliziumnitrid, Aluminiumnitrid oder Bornitrid als Hauptkomponentenumfassen. Beispiele fürden Film, welcher ein Oxynitrid enthält, schließen Filme ein, welche ein Oxynitridwie Sialon als Hauptkomponente umfassen.
    [0038] DasVerfahren zum Bilden der vorstehenden Grundschicht ist nicht besondersbegrenzt. Ein Verfahren, welches für die Zusammensetzung der Grundschichtgeeignet ist, wird verwendet, um die Grundschicht auf dem Substratzu bilden. Dieses Verfahren wird ausgewählt aus Sputtern, Plasma-CVD(chemische Gasphasenabscheidung) und Sol-Gel-Verfahren.
    [0039] UmDauerhaftigkeit und Wetterbeständigkeitoder chemische Beständigkeit,Abriebsbeständigkeit, Kratzbeständigkeitund BeständigkeitgegenüberKohäsionvon Ag gemäß seinerVerwendungsumgebung weiter zu verbessern, kann ein Schutzfilm aufdem reflektierenden Ag-Legierungsfilm (Ag-Legierungsdünnfilm) gebildetwerden.
    [0040] EinAg-Legierungssputtertarget, welches ein Seltenerdelement enthält, kannals Sputtertarget zum Bilden des reflektierenden Ag-Legierungsfilmsfür Reflektorengemäß der vorliegendenErfindung verwendet werden, welcher ein Seltenerdelement enthält.
    [0041] EinAg-Legierungstarget, welcher durch ein Schmelz-/Gieß-Verfahren (hiernach als „gegossenes Ag-Legierungstarget" bezeichnet) hergestelltwird, wird bevorzugt als vorstehendes Ag-Legierungssputtertargetverwendet. Da das gegossene Ag-Legierungstarget in Bezug auf dieZusammensetzung homogen ist und eine einheitliche Sputterausbeuteund Ausstoßwinkelaufweist, wird ein Ag-Legierungsdünnfilm miteinheitlicher Zusammensetzung stabil erhalten, wodurch ein Ag-Legierungsfilmbildendes Material mit höheremLeistungsverhalten erhalten wird.
    [0042] Wennder Sauerstoffgehalt des vorstehenden gegossenen Ag-Legierungstargetskontrolliert wird (bevorzugt auf 100 ppm oder weniger), kann dieFilmbildungsrate leicht bei einem konstanten Wert aufrechterhaltenwerden, und der Sauerstoffgehalt des Ag-Legierungsdünnfilmskann verringert werden, wodurch es möglich gemacht wird, die Korrosionsbeständigkeitdieses Ag-Legierungsdünnfilmszu steigern.
    [0043] DasAg-Legierungssputtertarget, welches verwendet wird, um den reflektierendenAg-Legierungsfilm fürReflektoren gemäß der vorliegendenErfindung zu bilden, enthältbevorzugt Seltenerdelemente mit einem Gehalt in dem Bereich von0,1 bis 3,0 Atom-%. Ein reflektierender Ag-Legierungsfilm für Reflektoren,welcher Seltenerdelemente mit einem Gehalt in dem Bereich von 0,1bis 3,0 Atom-% enthält,und eine mittlere OberflächenrauhigkeitRa von 2,0 nm oder weniger aufweist, kann unter Verwendung diesesAg-Legierungssputtertargetsgebildet werden.
    [0044] DieSputterbedingungen zum Bilden des reflektierenden Ag-Legierungsfilmsfür Reflektorengemäß der vorliegendenErfindung durch Sputtern sind nicht besonders begrenzt. Obwohl einAg-Legierungsdünnfilm (reflektierenderAg-Legierungsfilm) mit der gleichen Zusammensetzung wie die desSputtertargets auf dem Substrat durch Sputtern gebildet wird, können Agoder das Legierungselement gemäß der Bedingungeneinigermaßenkonzentriert sein, und ein leichter Unterschied (Unterschied aufdem Niveau der zweiten Dezimalstelle) können zwischen der Zusammensetzungdes Targets und der Zusammensetzung des Ag-Legierungsdünnfilmsgesehen werden. Ein Ag-Legierungsdünnfilm mit der gewünschtenZusammensetzung kann durch Einstellung der Sputterbedingungen (wieLeistung) erhalten werden.
    [0045] WennNd als Seltenerdelement mit einem Gehalt in dem Bereich von 0,1bis 3,0 Atom-% enthalten ist, kann ein reflektierender Ag-Legierungsfilm,welcher 0,1 bis 3,0 Atom-% Nd enthält, gebildet werden.
    [0046] Wennmindestens ein Element aus Au, Pd, Cu und Pt mit einem Gehalt indem Bereich von 0,5 bis 5,0 Atom-% enthalten ist, kann ein reflektierenderAg-Legierungsfilm gebildet werden, welcher 0,5 bis 5,0 Atom-% vonmindestens einem Element aus Au, Pd, Cu und Pt enthält.
    [0047] Umden reflektierenden Ag-Legierungsfilm für Reflektoren gemäß der vorliegendenErfindung zu bilden, könnenneben Sputtern physikalische Abscheidung wie Vakuumabscheidung undchemische Abscheidung wie CVD angewendet werden.
    [0048] Beispieleund Vergleichsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachstehendgegeben. Die vorliegende Erfindung ist nicht auf diese Beispielebeschränkt,und Modifikationen könnenin der Erfindung gemacht werden, ohne von dem Bereich der Erfindungabzuweichen, und sind in den technischen Bereich der Erfindung eingeschlossen. „%", welches zum Anzeigender Zusammensetzung der Legierung in den folgenden Beispielen undVergleichsbeispielen verwendet wird, bedeutet „Atom-%".
    [0049] EinAg-0,7%Nd-0,9%Cu gegossenes Target mit einem Durchmesser von 101,6mm (gegossenes Ag-Legierungstarget mit einem Nd-Gehalt von 0,7 Atom-%und einem Cu-Gehalt von 0,9 Atom-%) wurde verwendet, um einen 100nm dicken Ag-Legierungsdünnfilmauf einem Glassubstrat (Corning #1737, Durchmesser: 50 mm, Dicke:0,5 mm) durch DC-Magnetronsputternzu bilden, so daß eineProbe A erhalten wurde.
    [0050] Einreines Ag-Target mit einem Durchmesser von 101,6 mm wurde verwendet,um einen 100 nm dicken reinen Ag-Dünnfilm auf dem gleichen Glassubstratwie vorstehend in der gleichen Art und Weise wie vorstehend zu bilden,so daß eineProbe B erhalten wurde.
    [0051] EinAl-1,0%Ti gegossenes Target mit einem Durchmesser von 101,6 mm (gegossenesAl-Legierungstarget mit einem Titangehalt von 1,0 Atom-%) wurdeverwendet, um einen 100 nm dicken Al-Legierungsdünnfilm auf dem gleichen Glassubstratwie vorstehend in der gleichen Art und Weise wie vorstehend zu bilden,so daß eineProbe C erhalten wurde.
    [0052] Bezüglich derFilmbildungsbedingungen füralle vorstehenden Proben war die Substrattemperatur Raumtemperatur,der Abstand zwischen Target und Substrat 55 mm, und die Filmbildungsleistung100 W. Um die mittlere Oberflächenrauhigkeitdes erhaltenen Ag-Legierungsdünnfilmsund die mittlere Oberflächenrauhigkeitdes reinen Ag-Dünnfilmszu ändernwurde der Druck von Ar-Gas zum Zeitpunkt der Filmbildung zwischen2 und 10 mTorr verändert.
    [0053] Umdie Zusammensetzungen des vorstehenden Ag-Legierungsdünnfilms und des Al-Legierungsdünnfilmszu untersuchen, wurde das gleiche gegossene Ag-Legierungstarget und das gegossene Al-Legierungstargetwie vorstehend verwendet, um einen Ag-Legierungsdünnfilm undeinen Al-Legierungsdünnfilmauf Floatglas zu bilden, um die Zusammensetzungen der Filme durchICP zu analysieren.
    [0054] EinTeil der vorstehenden Probe B (reiner Ag-Dünnfilm/Glassubstrat)wurde in einem Vakuumerhitzungsofen (Grad des Vakuums: niedrigerals 1 × 10–5 Torr)bei 150°Cfür eineStunde und bei 200°Cfür eine Stundeerhitzt.
    [0055] DieProbe A (Ag-Legierungsdünnfilm/Glassubstrat),Probe B (reiner Ag-Dünnfilm/Glassubstrat),erhitzte Probe B und Probe C (Al-Legierungsdünnfilm/Glassubstrat), welchewie vorstehend beschrieben erhalten wurden, wurden auf Reflektivität und mittlereOberflächenrauhigkeitRa (arithmetische mittlere Oberflächenrauhigkeit) gemessen. Rawurde durch Betrachten eines Meßbereichsvon 2,5 × 2,5 μm durch einRasterkraftmikroskop (Nanoscopca von Digital Instruments Co., Ltd.)gemessen. Es wurde durch die vorstehende Analyse der Zusammensetzungbestätigt,daß derAg-Legierungsdünnfilmder Probe A ein Ag-0,7%Nd-0,9%Cu-Legierungsdünnfilm und der Al-Legierungsdünnfilm derProbe C ein Al-1,0%Ti-Legierungsdünnfilm war.
    [0056] DieMeßergebnissewerden in Tabelle 1 zusammen mit den Zusammensetzungen und Filmbildungsbedingungendieser Dünnfilmegezeigt. Wie aus Tabelle 1 verstanden wird, fällt die Reflektivität ab, wenndie OberflächenrauhigkeitRa in dem reinen Ag-Dünnfilmund dem Ag-Legierungsdünnfilm (Ag-0,7%Nd-0,9%Cu-Legierungsdünnfilm)ansteigt. Insbesondere wenn die mittlere Oberflächenrauhigkeit Ra größer als2,0 nm wird, fälltdie Reflektivitätaußerordentlichab, und es gibt nahezu keinen signifikanten Unterschied der Reflektivität zwischendem Al-Legierungsdünnfilmund dem Ag-Legierungsdünnfilm.
    [0057] Wennder Druck eines Ar-Gases zum Zeitpunkt der Filmbildung ansteigt,wird die OberflächenrauhigkeitRa des erhaltenen reinen Ag-Dünnfilmsund die mittlere OberflächenrauhigkeitRa des erhaltenen Ag-Legierungsdünnfilmshöher.Die mittlere OberflächenrauhigkeitRa des reinen Ag-Dünnfilmswird durch eine Wärmebehandlunggesteigert, und wird höher,wenn die Temperatur der Wärmebehandlungansteigt. Die mittlere OberflächenrauhigkeitRa des Ag-Legierungsdünnfilmsist niedriger als die des reinen Ag-Dünnfilmsund die des Al-Legierungsdünnfilms.
    [0058] Einreines Ag-Target mit einem Durchmesser von 101,6 mm wurde verwendet,um einen 100 nm dicken reinen Ag-Dünnfilm auf einem Glassubstrat(Corning #1737, Durchmesser: 50 mm, Dicke: 0,5 mm) durch DC-Magnetronsputternzu bilden, so daß eineProbe D erhalten wurde.
    [0059] Ein5 mm2 Metallplättchen (Nd oder Y) wurde aufeinen reinen Ag-Target mit einem Durchmesser von 101,6 mm plaziertund als Target verwendet, um einen 100 nm dicken Ag-Legierungsdünnfilm (Ag-Nd-Legierungsdünnfilm oderAg-Y-Legierungsdünnfilm)auf dem gleichen Glassubstrat wie vorstehend in der gleichen Artund Weise wie vorstehend zu bilden, so daß eine Probe E erhalten wurde.
    [0060] Fernerwurde ein 5 mm2 Metallplättchen (Au, Cu, Pd oder Pt)auf reinem Ag-Target mit einem Durchmesser von 101,6 mm plaziertund als Target verwendet, um einen 100 nm dicken Ag-Legierungsdünnfilm (Ag-Au-Legierungsdünnfilm,Rg-Cu-Legierungsdünnfilm,Ag-Pd-Legierungsdünnfilm oderAg-Pt-Legierungsdünnfilm)auf dem gleichen Glassubstrat wie vorstehend in der gleichen Artund Weise wie vorstehend zu bilden, so daß eine Probe F erhalten wurde.
    [0061] Bezüglich derBildungsbedingungen füralle vorstehenden Dünnfilmewar die Substrattemperatur Raumtemperatur, der Abstand zwischenTarget und Substrat 55 mm, die Filmbildungsleistung 100 W und der Druckdes Ar-Gases 2 mTorr.
    [0062] Umdie Zusammensetzung der vorstehenden Ag-Legierungsdünnfilme zu untersuchen, wurdedas gleiche Target wie vorstehend verwendet, um einen Ag-Legierungsdünnfilm aufFloatglas in der gleichen Art und Weise wie vorstehend zu bilden,um die Zusammensetzungen der Filme durch ICP zu analysieren.
    [0063] DieProbe D (reiner Ag-Dünnfilm/Glassubstrat),Probe E (Ag-Legierungsdünnfilm/Glassubstrat)und Probe F (Ag-Legierungsdünnfilm/Glassubstrat),welche wie vorstehend beschrieben erhalten wurden, wurden auf Reflektivität und mittlereOberflächenrauhigkeit(arithmetische mittlere Oberflächenrauhigkeit)durch die gleichen Verfahren wie in Beispiel 1 gemessen. Die Reflektivität war einWert bei einer Wellenlängevon 650 nm.
    [0064] Nachdemdie vorstehenden Probe D, Probe E und Probe F an Luft bei 250°C für eine Stundeerhitzt wurden, wurden sie auf Reflektivität und mittlere Oberflächenrauhigkeit(arithmetische mittlere Oberflächenrauhigkeit)durch die gleichen Verfahren wie in Beispiel 1 gemessen. Es wurdedurch die vorstehende Analyse der Zusammensetzung bestätigt, daß der Ag-Legierungsdünnfilm derProbe E (hiernach als „Seltenerdenthaltender Ag-Legierungsdünnfilm" bezeichnet) eineZusammensetzung aufwies, welche in Tabelle 2 gezeigt wird (Ag-Nd-Legierungsdünnfilm oderAg-Y-Legierungsdünnfilm)und der Ag-Legierungsdünnfilmder Probe F (hiernach als „Edelmetallenthaltender Ag-Legierungsdünnfilm" bezeichnet) eineZusammensetzung aufwies, welche in Tabelle 2 gezeigt wird (Al-Au-Legierungsdünnfilm,Al-Cu-Legierungsdünnfilm,Al-Pd-Legierungsdünnfilmoder Al-Pt-Legierungsdünnfilm).
    [0065] Dievorstehenden Meßergebnissewerden in Tabelle 2 zusammen mit den Zusammensetzungen der Dünnfilmegezeigt. Wie aus Tabelle 2 verstanden wird, weist der reine Ag-Dünnfilm eine niedrige mittlereOberflächenrauhigkeitRa und eine hohe Reflektivität(anfänglicheReflektivität)nach der Filmbildung und vor der Wärmebehandlung auf, aber einehohe mittlere OberflächenrauhigkeitRa und eine niedrige Reflektivitätnach der Wärmebehandlung(250°C × 1 Stunde).Das heißt,die mittlere OberflächenrauhigkeitRa wird signifikant gesteigert und die Reflektivität außerordentlichverringert durch die Wärmebehandlungmit dem Ergebnis niedriger Wärmebeständigkeit.
    [0066] DerEdelmetall enthaltende Ag-Legierungsdünnfilm (Ag-Legierungsdünnfilm derProbe F) weist eine höhereWärmebeständigkeitauf als der reine Ag-Dünnfilm.Obwohl ein Anstieg seiner mittleren Oberflächenrauhigkeit Ra und eineVerringerung seiner Reflektivität,welche durch die Wärmebehandlunghervorgerufen wird, klein sind, ist seine mittlere OberflächenrauhigkeitRa nach der Wärmebehandlung(250°C × 1 Stunde) höher als2,0 nm und seine Reflektivitätniedrig.
    [0067] ImGegensatz dazu weist der Seltenerd enthaltende Ag-Legierungsdünnfilm (Ag-Legierungsdünnfilm derProbe E) exzellente Wärmebeständigkeitauf und ein Anstieg seiner mittleren Oberflächenrauhigkeit Ra und eineVerringerung seiner Reflektivität,welche durch die Wärmebehandlung(250°C × 1 Stunde)hervorgerufen wird, sind klein.
    [0068] Unterdiesen Legierungsdünnfilmenweist der Ag-Nd-Legierungsdünnfilm,welcher einen Nd-Gehalt von 0,01 (Ag-0,1Nd-Legierungsdünnfilm)aufweist, eine mittlere OberflächenrauhigkeitRa vor der Wärmebehandlungvon 1,2 nm und eine hohe anfänglicheReflektivitätvon 89,6 ähnlichdem reinen Ag-Dünnfilmauf, aber seine mittlere OberflächenrauhigkeitRa nach der Wärmebehandlung(250°C × 1 Stunde)ist 2,0 nm, welches ein wenig höherist als die vor der Wärmebehandlung,und seine Reflektivitätist 83,9%, welche viel höher istals die des reinen Ag-Dünnfilms.
    [0069] EinAg-Legierungsdünnfilmmit einem Nd-Gehalt von 0,3% (Ag-0,3Nd-Legierungsdünnfilm)weist eine mittlere OberflächenrauhigkeitRa von 0,9 nm und eine Reflektivität von 86,2% nach einer Wärmebehandlung (250°C × 1 Stunde)auf. Eine Verringerung in seiner Reflektivität, welche durch die Wärmebehandlunghervorgerufen wird, ist klein. Ein Anstieg der mittleren Oberflächenrauhigkeit,welche durch die Wärmebehandlung (250°C × 1 Stunde)hervorgerufen wird, wird in einem Ag-Legierungsdünnfilm mit einem höheren Nd-Gehalt nichtbeobachtet, und eine Verringerung in seiner Reflektivität, welchedurch die Wärmebehandlunghervorgerufen wird, wird kleiner, wenn der Gehalt an Nd ansteigt.Wenn der Gehalt an Nd 3,0% oder mehr ist, wird eine Verringerungder Reflektivität,welche durch die Wärmebehandlunghervorgerufen wird, nicht beobachtet. Die anfängliche Reflektivität wird niedriger,wenn der Gehalt an Nd ansteigt, und ein Ag-Legierungsdünnfilm mit einemNd-Gehalt von 4,0% weist eine anfängliche Reflektivität von 78,5%auf.
    [0070] EinAg-1,0Y-Legierungsdünnfilmweist eine wenig niedriger oder die gleiche anfängliche Reflektivität wie derAg-1,0Nd-Legierungsdünnfilmauf. Seine Reflektivitätnach einer Wärmebehandlung(250°C × 1 Stunde)ist wenig niedriger als die des Ag-0,1Nd-Legierungsdünnfilms,und eine Verringerung seiner Reflektivität, welche durch die Wärmebehandlunghervorgerufen wird, ist wenig niedriger als die des Ag-0,1Nd-Legierungsdünnfilms.
    [0071] EinAg-0,7%Nd-Target (gegossenes Material) mit einem Durchmesser von101,6 mm wurde verwendet, um einen 100 nm dicken Ag-Legierungsdünnfilm (Ag-Nd-Legierungsdünnfilm)auf einem Glassubstrat (Corning #1737, Durchmesser: 50 mm, Dicke:0,5 mm) durch ein DC-Magnetronsputtern zu bilden, so daß eine ProbeG erhalten wurde.
    [0072] Ein5 mm2 Metallplättchen (Cu, Au, Pd oder Pt)wurde auf einem Ag-0,7%Nd-Targetmaterial (gegossenes Material) miteinem Durchmesser von 101,6 mm plaziert und als Target verwendet,um einen 100 nm dicken Ag-Legierungsdünnfilm (Ag-Nd-Cu-Legierungsdünnfilm,Ag-Nd-Au-Legierungsdünnfilm,Ag-Nd-Pd-Legierungsdünnfilmoder Ag-Nd-Pt-Legierungsdünnfilm)auf dem gleichen Glassubstrat wie vorstehend in der gleichen Artund Weise wie vorstehend zu bilden, so daß eine Probe H erhalten wurde.
    [0073] Bezüglich derBildungsbedingungen füralle vorstehenden Proben war die Substrattemperatur Raumtemperatur,der Abstand zwischen Target und Substrat 55 mm, die Filmbildungsleistung100 W und der Druck des Ar-Gases 2 mTorr.
    [0074] Umdie Zusammensetzungen der vorstehenden Ag-Legierungsdünnfilme zu untersuchen, wurdedas gleiche Target wie vorstehend verwendet, um einen Ag-Legierungsdünnfilm aufFloatglas in derselben Art und Weise wie vorstehend zu bilden, umdie Zusammensetzung des Films durch ICP zu analysieren.
    [0075] DieProbe G (Ag-Legierungsdünnfilm/Glassubstrat)und die Probe H (Ag-Legierungsdünnfilm/Glassubstrat),welche wie vorstehend erhalten wurden, wurden auf Reflektivität und mittlereOberflächenrauhigkeit Ra(arithmetische mittlere Oberflächenrauhigkeit)durch die gleichen Verfahren wie in Beispiel 1 gemessen.
    [0076] Nachdemdie Probe G und die Probe H an Luft bei 250°C für eine Stunde erhitzt wurden,wurden sie auf Reflektivitätund mittlere OberflächenrauhigkeitRa (arithmetische mittlere Oberflächenrauhigkeit) durch die gleichenVerfahren wie in Beispiel 1 gemessen. Es wurde durch die vorstehendeAnalyse der Zusammensetzung gefunden, daß der Ag-Legierungsdünnfilm derProbe G (hiernach als „Ag-Nd-Legierungsdünnfilm" bezeichnet) eineZusammensetzung aufwies, die in Tabelle 3 gezeigt wird, und derAg-Legierungsdünnfilmder Probe H (hiernach als „Ag-Nd-Edelmetalllegierungsdünnfilm" bezeichnet) eineZusammensetzung aufwies, welche in Tabelle 3 gezeigt wird (Ag-Nd-Cu-Legierungsdünnfilm,Ag-Nd-Au- Legierungsdünnfilm, Ag-Nd-Pd-Legierungsdünnfilm oderAg-Nd-Pt-Legierungsdünnfilm).
    [0077] Fernerwurde eine Salzwassereintauchprüfung(NaCl-Konzentration:0,05 mol/l, Eintauchzeit: 15 Minuten) mit den vorstehenden ProbeG und Probe H (direkt nach der Filmbildung, das heißt, vorder vorstehenden Wärmebehandlung),um die Farbänderungund das Ablösenjeder der Proben visuell zu beobachten. Wenn das Ablösen unddie Farbänderungder gesamten Oberflächevisuell beobachtet wurde, wurde die Probe als × (nicht befriedigend) bewertet,wenn 20 oder mehr weißePunkte von 1 mm Längeoder mehr auf dem Substrat beobachtet wurden, wurde die Probe als
    [0078] DieErgebnisse der vorstehenden Messung und Prüfung werden in Tabelle 3 zusammenmit den Zusammensetzungen der Dünnfilmegezeigt. Wie aus Tabelle 3 verstanden wird, weist der Ag-Legierungsdünnfilm derProbe G (Ag-0,7Nd-Legierungsdünnfilm)eine niedrige Salzwasserbeständigkeitauf, da er in der Salzwassereintauchprüfung mit × bewertet wurde. Im Gegensatzdazu wurde die Salzwasserbeständigkeitdes Ag-Legierungsdünnfilms(Ag-Nd-Edelmetalllegierungsdünnfilm)der Probe H mit Ausnahme des Ag-0,7Nd-0,3Cu-Legierungsdünnfilmsmit
    [0079] EinAg-0,7%Nd-Target (gegossenes Material) mit einem Durchmesser von101,6 mm wurde verwendet, um einen Ag-Legierungsdünnfilm (Ag-Nd-Legierungsdünnfilm)auf einem Glassubstrat (Corning #1737, Durchmesser: 50 mm, Dicke:0,5 mm) durch ein DC-Magnetronsputtern zu bilden, so daß eine ProbeI erhalten wurde. Die Dicke des Films wurde verändert.
    [0080] EinAg-1,0%Au-Target, Ag-1,0%Cu-Target und Ag-1,0%Pd-Target (gegossene Materialien)mit einem Durchmesser von 101,6 mm wurden verwendet, um Ag-Legierungsdünnfilme(Ag-Au-Legierungsdünnfilm, Ag-Cu-Legierungsdünnfilm,Ag-Pd-Legierungsdünnfilm)auf einem Glassubstrat (Corning #1737, Durchmesser: 50 mm, Dicke:0,5 mm) durch ein DC-Magnetronsputtern zu bilden, so daß jeweilsProben J erhalten wurden. Die Dicke jedes Films wurde verändert.
    [0081] Bezüglich derBildungsbedingungen füralle vorstehenden Proben war die Substrattemperatur Raumtemperatur,der Abstand zwischen Target und Substrat 55 mm, die Filmbildungsleistung100 W und der Druck des Argon-Gases 2 mTorr. Die Dicke des Ag-Legierungsdünnfilmswurde durch Kontrollieren der Filmbildungszeit verändert.
    [0082] DieProben I (Ag-Legierungsdünnfilm/Glassubstrat)und Proben J (Ag-Legierungsdünnfilm/Glassubstrat),welche wie vorstehend beschrieben erhalten wurden, wurden auf Reflektivität und mittlereOberflächenrauhigkeitRa (arithmetische mittlere Oberflächenrauhigkeit) durch die gleichenVerfahren wie in Beispiel 1 gemessen.
    [0083] DieErgebnisse der Messungen werden in Tabelle 4 zusammen mit den Zusammensetzungenund Dicken der Dünnfilmegezeigt. Wie aus Tabelle 4 verstanden wird, wird die mittlere Oberflächenrauhigkeithöher unddie Reflektivitätniedriger, wenn die Dicke des Films ansteigt. Wenn die Dicke desFilms kleiner als 50 nm ist, wird die Reflektivität außerordentlichdeutlich erniedrigt, da Licht den Film durchdringt.
    [0084] EinAg-0,7%Nd-Target (gegossenes Material) mit einem Durchmesser von101,6 mm wurde verwendet, um einen 100 nm dicken Ag-Legierungsdünnfilm (Ag-Nd-Legierungsdünnfilm)auf einem Glassubstrat (Corning #1737, Durchmesser: 50 mm, Dicke:0,5 mm) durch ein DC-Magnetronsputtern zu bilden, so daß eine ProbeK gebildet wurde.
    [0085] EinAg-1,0%Au-Target, Ag-1,9%Cu-Target und Ag-1,9%Pd-Target (gegossene Materialien)mit einem Durchmesser von 101,6 mm wurden verwendet, um 100 nm dickeAg-Legierungsdünnfilme(Ag-Au-Legierungsdünnfilm,Ag-Cu-Legierungsdünnfilmund Ag-Pd-Legierungsdünnfilm)auf einem Glassubstrat (Corning #1737, Durchmesser: 50 mm, Dicke:0,5 mm) durch ein DC-Magnetronsputtern zu bilden, so daß jeweilsProben L erhalten wurden.
    [0086] Bezüglich derBildungsbedingungen füralle vorstehenden Proben war der Abstand zwischen Target und Substrat55 mm, die Filmbildungsleistung 100 W und der Druck des Ar-Gases2 mTorr. Die Substrattemperatur wurde als ein Parameter verändert. Dasheißt,die Substrattemperatur wurde auf Raumtemperatur (23°C), 50°C, 100°C, 150°C, 200°C und 250°C verändert.
    [0087] DieProbe K (Ag-Legierungsdünnfilm/Glassubstrat)und Proben L (Ag-Legierungsdünnfilm/Glassubstrat),welche wie vorstehend beschrieben erhalten wurden, wurden auf Reflektivität und mittlereOberflächenrauhigkeitRa (arithmetische mittlere Oberflächenrauhigkeit) durch die gleichenVerfahren wie in Beispiel 1 gemessen.
    [0088] DieErgebnisse der Messungen werden in Tabelle 5 zusammen mit den Zusammensetzungenund Filmbildungstemperaturen (Substrattemperaturen) dieser Filmegezeigt. Wie aus Tabelle 5 verstanden wird, war die Substrattemperaturzur Bildung eines Films 100°Cund die mittlere OberflächenrauhigkeitRa mehr als 2,0 nm in dem Fall des Ag-Au-Legierungsdünnfilms,Ag-Cu-Legierungsdünnfilmsund Ag-Pd-Legierungsdünnfilms.Das heißt,wenn ein Film bei einer Substrattemperatur von 100°C geformtwurde, stieg die mittlere Oberflächenrauhigkeitdes erhaltenen Dünnfilmsan. Im Gegensatz dazu war die mittlere Oberflächenrauhigkeit Ra des Ag-Nd-Legierungsdünnfilmsmit 2,0 nm oder weniger niedrig, selbst wenn die Substrattemperaturzur Bildung des Films 100°Coder 150°Cbis 250°Cbetrugt. Daher wird der Ag-Nd-Legierungsdünnfilm durch die Substrattemperaturzur Bildung eines Films wenig beeinflußt. Wenn die Substrattemperatur200°C oderniedriger ist, erhöhtdas die mittlere Oberflächenrauhigkeiteines Dünnfilmsselten.
    [0089] Dader reflektierende Ag-Legierungsdünnfilm für Reflektoren der vorliegendenErfindung exzellente Oberflächenebenheitaufweist, und hohe Reflektivitätselbst unter einer erhitzenden Umgebung zeigt, kann er vorteilhafterweiseals reflektierender Ag-Legierungsdünnfilm für Reflektorenverwendet werden, und seine Funktion kann verbessert werden.
    [0090] Dader Reflektor der vorliegenden Erfindung den auf einem Substratgebildeten reflektierenden Ag-Legierungsdünnfilm für Reflektorenmit den vorstehenden exzellenten charakteristischen Eigenschaftenaufweist, kann er vorteilhafterweise unter einer erhitzenden Umgebungverwendet werden.
    [0091] Einreflektierender Ag-Legierungsdünnfilmfür Reflektoren,welcher exzellente Oberflächenebenheit aufweistund hohe Reflektivitätselbst unter einer erhitzenden Umgebung aufweist, und ein Reflektor.
    [0092] Derreflektierende Ag-Legierungsfilm für Reflektoren weist eine mittlereOberflächenrauhigkeitvon 2,0 nm oder weniger auf und enthält ein Seltenerdelement (wieNd) mit einem Gehalt in dem Bereich von 0,1 bis 3,0 Atom-% oderferner mindestens ein Element, das ausgewählt wurde aus Au, Pd, Cu undPt mit einem Gehalt in dem Bereich von 0,5 bis 5,0 Atom-%. Der Reflektorumfaßtden vorstehenden auf einem Substrat gebildeten reflektierenden Ag-Legierungsfilm.
    权利要求:
    Claims (8)
    [1] Reflektierender Ag-Legierungsfilm für Reflektoren,welche eine mittlere OberflächenrauhigkeitRa von 2,0 nm oder weniger aufweist.
    [2] Der reflektierende Ag-Legierungsfilm für Reflektorennach Anspruch 1, welcher ein Seltenerdelement mit einem Gehalt indem Bereich von 0,1 bis 3,0 Atom-% enthält.
    [3] Der reflektierende Ag-Legierungsfilm für Reflektorennach Anspruch 2, wobei das Seltenerdelement Nd ist.
    [4] Der reflektierende Ag-Legierungsfilm für Reflektorennach Anspruch 1, welcher mindestens ein Element enthält, dasausgewähltwurde aus Au, Pd, Cu und Pt mit einem Gehalt in dem Bereich von0,5 bis 5,0 Atom-%.
    [5] Der reflektierende Ag-Legierungsfilm für Reflektorennach Anspruch 1, welcher eine Dicke von 50 bis 300 nm aufweist.
    [6] Der reflektierende Ag-Legierungsfilm für Reflektorennach Anspruch 1, welcher durch Erhitzen eines Substrats auf 50 bis200°C zumZeitpunkt der Filmbildung erhalten wird.
    [7] Reflektor, der den auf einem Substrat gebildetenreflektierenden Ag-Legierungsfilm für Reflektoren aus Anspruch1 umfaßt.
    [8] Der Reflektor nach Anspruch 7, wobei ein Film aufdem Substrat als Grundschicht gebildet ist, welcher mindestens einenBestandteil enthält,der aus der Gruppe ausgewähltwurde, welche aus einem Oxid, Nitrid und Oxynitrid besteht.
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    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
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    2005-02-10| OP8| Request for examination as to paragraph 44 patent law|
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